МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

27.10€
Ex Tax: 24.86€
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Write a review

    Bad           Good

Delivery

Across Lithuania, Latvia, Estonia and EU countries.
Free from €25 (Baltics) and from €55 (EU).
Orders placed before 13:00 are shipped the same day.
More details — here

Payment

Bank card (VISA / Mastercard) — instant.
Bank transfer — 2–3 business days.
All payments are secure.
More details — here

Returns

14-day return period.
Items must be in new condition with a receipt.
Defects — replacement or refund.
More details — here